Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0602LSATMA1
MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0602LSA
BSZ0602LSATMA1 Hakkında
BSZ0602LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, 40A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 7mΩ düşük açık-devre direnci (Rds(on)) sayesinde güç kaybını minimalize eder. Surface mount 8-pin PowerTDFN paketinde sunulan BSZ0602LSATMA1, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, 69W maksimum güç tüketimi ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok