Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ058N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ058N03MSG

BSZ058N03MSGATMA1 Hakkında

BSZ058N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilim (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 14A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) ve 40A darbe kapasitesi (Tc) sunmaktadır. 5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlayan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. Surface Mount tipi 8-PowerTDFN paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (40nC @ 10V) değeri hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Maksimum 45W güç dağıtımı kapasitesi (Tc) ile orta güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok