Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ058N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ058N03LS

BSZ058N03LSGATMA1 Hakkında

BSZ058N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain to Source gerilimi ile 15A sürekli drenaj akımı (Ta) veya 40A (Tc) kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN paketinde Surface Mount montajı için tasarlanmıştır. 5.8mOhm On-State Drain Resistance (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate Charge 30nC, Input Capacitance 2400pF değerlerindedir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok