Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0589NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0589NS
BSZ0589NSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ0589NSATMA1, 30V drain-source voltajına ve 17A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. TSDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-dirençli (RDS(on)) özellikleri ile güç dönüşüm uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, LED aydınlatma kontrolü ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.4mΩ RDS(on) değeri ve 15nC gate charge karakteristikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine ve düşük enerji kaybına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok