Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ0506NSATMA1

MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ0506NS

BSZ0506NSATMA1 Hakkında

BSZ0506NSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecelendirilmesi ve 15A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.4mΩ RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey monte paket içinde sunulmuş olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 15nC ve input capacitance 950pF değerleriyle hızlı komütasyon karakteristiği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok