Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0503NSI
BSZ0503NSIATMA1 Hakkında
BSZ0503NSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltajında çalışan bu komponent, 25°C'de 20A, soğutucu ile 40A'e kadar sürekli drenaj akımı sağlayabilir. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 3.4mΩ olarak belirtilmiştir. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrolör devreleri gibi alanlarda kullanılır. Surface mount paketi (8-PowerTDFN) ile kompakt tasarımlar gerçekleştirmeye imkan tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, düşük kapı yükü (20nC @ 10V) ve hızlı anahtarlama özelliğiyle dikkat çeker.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok