Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ042N06NSA
BSZ042N06NSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ042N06NSATMA1, N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 17A sürekli (Ta) / 40A sürekli (Tc) dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.2mOhm (10V, 20A) RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve 27nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliklerine sahiptir. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu FET, güç dönüştürme uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri için kullanılır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok