Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ042N04NSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ042N04NS

BSZ042N04NSGATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ042N04NSGATMA1, 40V drain-source geriliminde 40A sürekli akım yeteneğine sahip N-Channel MOSFET'tir. 4.2mΩ RDS(on) değeri ve 10V gate sürücü gerilimi ile düşük iletim kayıplarında çalışır. TSDSON-8 (8-PowerVDFN) yüzey montajlı paket ile yoğun tasarımlara uyarlanabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç denetim devrelerinde, motor sürücülerinde ve AC-DC konvertörlerde kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. 46nC gate yükü ve düşük input kapasitansi hızlı komutasyonu destekler. Ürün şu anda üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 36µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok