Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ040N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ040N04LS

BSZ040N04LSGATMA1 Hakkında

BSZ040N04LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ile çalışan bu bileşen, 18A sürekli akım (Ta) ve 40A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (TSDSON-8) yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Düşük on-dirençi (Rds On) değeri (4mΩ @ 20A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışmakta olan bu MOSFET, motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Gate charge ve kapasitans karakteristikleri hızlı anahtarlama operasyonlarında avantaj sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 36µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok