Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ035N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ035N03LS

BSZ035N03LSGATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ035N03LSGATMA1, 30V drain-source geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistördür. 20A sürekli (Ta) ve 40A (Tc) akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, 3.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 56nC (10V) olan transistör, hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 8-PowerTDFN paket tipi ile surface mount uygulamalarına uygun olan BSZ035N03LSGATMA1, güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok