Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ028N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ028N04LS
BSZ028N04LSATMA1 Hakkında
BSZ028N04LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source voltaj desteği ile 21A sürekli akım (Ta) ve 40A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 2.8mΩ RDS(on) değeri ile düşük direnç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN paket formatında sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri için uygundur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı ve 63W güç dağıtım kapasitesi (Tc) ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok