Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ025N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ025N04LS

BSZ025N04LSATMA1 Hakkında

BSZ025N04LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source geriliminde 22A sürekli drenaj akımı (25°C'de) ile çalışan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5mΩ (10V, 20A'de) düşük on-state direnci ile enerji verimliliği sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC konverterler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3680 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok