Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ023N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ023N04LS
BSZ023N04LSATMA1 Hakkında
BSZ023N04LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında çalışabilen ve 22A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 2.35mΩ @ 20A, 10V düşük on-direnci ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. TSDSON-8 (PG-TSDSON-8-FL) SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. 37nC gate charge ve 2630pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon sağlar. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri sayesinde ısıl kayıpları minimize eder ve yüksek verimlilik gerekli uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2630 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.35mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok