Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ021N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ021N04LS6
BSZ021N04LS6ATMA1 Hakkında
BSZ021N04LS6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilimi ile 25A (Ta) ve 40A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2.1mOhm (10V, 20A) düşük RDS(on) değeri ile verimli enerji dağılımı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır. Güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan kompakt bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok