Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ018NE2LS
BSZ018NE2LSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSZ018NE2LSATMA1, 25V drain-source voltaj ile çalışan bir N-Channel MOSFET transistördür. 23A sürekli akım (Ta) ve 40A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 1.8mΩ düşük on-state direnci ile güç kaybını minimize eder. 8-PowerTDFN (TSDSON-8) yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 39nC gate charge ve 2800pF input kapasitanslı yapısı hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok