Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ018N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ018N04LS6AT
BSZ018N04LS6ATMA1 Hakkında
BSZ018N04LS6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 27A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, güç dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.8mΩ düşük RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 8-pin PowerTDFN paketi içinde sunulan bu komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Yüksek hızlı anahtarlama gerektiren DC-DC konvertörler, pil yönetim sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok