Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSZ014NE2LS5IFATMA1

MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ014NE2LS5

BSZ014NE2LS5IFATMA1 Hakkında

BSZ014NE2LS5IFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi ve 31A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1.45mOhm maksimum On-Direnç (RDS(on)) ile düşük kayıp uygulamalar için uygun bir bileşendir. Gövde içinde entegre Schottky diyot bulunur. Surface Mount montajı ile 8-PowerTDFN paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok