Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSZ013NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSZ013NE2LS5
BSZ013NE2LS5IATMA1 Hakkında
Infineon Technologies BSZ013NE2LS5IATMA1, 25V rated drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 32A sürekli dren akımı (Ta) ve 40A (Tc) kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. 1.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN pakette sunulan bu FET, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. Gate charge değeri 50nC, input capacitance ise 3400pF'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok