Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BST82,215

MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BST82

BST82,215 Hakkında

BST82,215, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 190mA sürekli drain akımı (Id) ile tasarlanmıştır. TO-236AB (SOT-23-3) SMD paketinde sunulur. 5V gate drive voltajında 10Ohm maksimum on-direnci (Rds On) sağlar. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, düşük güç yönetimi devreleri ve inverter kontrol sistemlerinde kullanılır. 40pF input kapasitansı hızlı komütasyon için uygun bir yapıya sahiptir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 150mA, 5V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok