Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS84XHZGG2CR
MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS84
BSS84XHZGG2CR Hakkında
BSS84XHZGG2CR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 230mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, DFN1010-3W paketinde gelmektedir. 5.3Ω on-state direnci ve 2.5V eşik voltajı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışabilen transistör, maksimum 1W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Gövde sıcaklığı 150°C'ye kadar dayanır. Yüksek-hızlı anahtarlama, güç yönetimi, ses-video cihazları ve taşınabilir elektronik uygulamalarında kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 230mA, 10V |
| Supplier Device Package | DFN1010-3W |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok