Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS84PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS84

BSS84PL6327HTSA1 Hakkında

BSS84PL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli drain akımı ile çalışır. SOT-23-3 yüzey montajlı paket içinde sunulur. 10V gate geriliminde 8Ω maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, kontrol devreleri, güç yönetimi ve ses-frekans amplifikatörleri gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir. Düşük gate charge değeri (1.5nC) sayesinde hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Maksimum 360mW güç tüketimiyle tasarlanmıştır. Şu anda kullanımdan kaldırılmış durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 19 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok