Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS83PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS83PL
BSS83PL6327HTSA1 Hakkında
BSS83PL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 330mA sürekli drain akımı ile karakterize edilen bu komponent, SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 2Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 360mW maksimum güç dağılımına sahip olan bu transistör, analog anahtarlama, güç yönetimi, ters polarite koruması ve düşük sinyal seviyesi kontrol uygulamalarında kullanılır. 3.57nC gate charge ve 78pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Küçük boyutlu ve maliyet-etkin tasarımlar için uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 330mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 330mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok