Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS83PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS83PH

BSS83PH6327XTSA1 Hakkında

BSS83PH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 330mA sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 2Ω maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışır. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, inverter uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 3.57nC gate charge ve 78pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 330mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 78 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 330mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok