Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS816NW L6327
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS816NW
BSS816NW L6327 Hakkında
BSS816NW, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim kapasitesi ve 1.4A sürekli drenaj akımı ile sinyal anahtarlaması, düşük güçlü uygulamalar ve lojik seviye kontrol devrelerinde kullanılır. 160mΩ on-dirençi (Rds On) ile miniatur SC-70/SOT-323 paketinde sunulur. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışabilen bu transistör, taşınabilir cihazlar, pil yönetim sistemleri ve analog sinyal işleme devrelerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 2.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 3.7µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok