Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS806NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS806NL
BSS806NL6327HTSA1 Hakkında
BSS806NL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 57mΩ on-resistance değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 2.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 529 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok