Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS806NEH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS806NEH
BSS806NEH6327XTSA1 Hakkında
BSS806NEH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Vdss ve 2.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 57mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile kompakt boyutta sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, sürücü devreler ve düşük güçlü kontrol sistemlerinde kullanılır. 1.7nC gate charge ve 529pF input capacitance karakteristikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 2.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 529 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 0.75V @ 11µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok