Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS7728NH
BSS7728NH6327XTSA2 Hakkında
BSS7728NH6327XTSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 200mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 5Ohm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate kapasitansı 56pF ve gate yükü 1.5nC olup, hızlı sürülmeye olanak tanır. Küçük boyutu ve düşük güç tüketimi (maksimum 360mW) sayesinde taşınabilir cihazlar, IoT uygulamaları, anahtarlama devreleri ve dijital lojik seviyeleri sürülmesinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 56 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 26µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok