Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS7728NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS7728

BSS7728NH6327XTSA1 Hakkında

BSS7728NH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 200mA sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, dijital devreler ve sensör arayüzleri gibi uygulamalarda yer alır. Maximum 5Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Düşük gate charge (1.5 nC) hızlı anahtarlama performansı sunar. Üretim durumu kullanım dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 56 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 26µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok