Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS670S2LL6327HTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS670S2LL6327
BSS670S2LL6327HTSA1 Hakkında
BSS670S2LL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim dayanımı ve 540mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve sinyal kontrol uygulamalarında tercih edilir. 650mOhm maksimum on-direnci ve 2.26nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Maksimum 360mW güç tüketimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 540mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 270mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 2.7µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok