Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS315PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS315
BSS315PH6327XTSA1 Hakkında
BSS315PH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ile 1.5A sürekli akım kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, röle kontrolü, güç yönetimi ve sinyal değiştirme devreleri gibi düşük güçlü anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. Kompakt boyutu ve düşük kapasitansı hızlı anahtarlama gerektiren taşınabilir cihazlar ve gömülü sistemler için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 282 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok