Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS314
BSS314PEH6327XTSA1 Hakkında
BSS314PEH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 1.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile kompakt SOT-23-3 paketinde sunulur. 140mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 500mW güç dissipasyonu yapabilir. Switch uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya kontrol sistemleri ve sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş çalışma alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 294 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 6.3µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok