Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS308PEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS308
BSS308PEL6327HTSA1 Hakkında
BSS308PEL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 80mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile güç uygulamalarında düşük kayıp sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, yük kontrolü, güç yönetimi ve portatif cihaz uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapasite değerleriyle RF ve anahtarlamalı güç kaynağı devreleri için önemli bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok