Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS308
BSS308PEH6327XTSA1 Hakkında
BSS308PEH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı ile çalışabilir. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile küçük alan tasarımlarına uygun olup, 80mOhm maksimum on-direnci (10V, 2A koşullarında) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 5nC ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, load switch devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 500mW güç dağılımı kapasitesi ile kompakt enerji hasat ve kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok