Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS306NL6327HTSA1

MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS306NL

BSS306NL6327HTSA1 Hakkında

BSS306NL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim, 2.3A sürekli drain akımı ve 57mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sağlanan bu bileşen, PWM kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve sinyal seviyesi dönüştürme devrelerinde yer alır. ±20V gate gerilim toleransı ve -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesine sahiptir. 275pF input kapasitans ve 1.5nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 11µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok