Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS306NH
BSS306NH6327XTSA1 Hakkında
BSS306NH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 57mOhm (10V, 2.3A) maksimum on-resistance değeri sayesinde verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve düşük gerilim DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 500mW güç dağıtımı kapasitesi ve 1.5nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimi gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok