Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS225H6327FTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS225H6327
BSS225H6327FTSA1 Hakkında
BSS225H6327FTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 90mA sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 45Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimlı anahtarlama sağlar. SOT89 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltaj sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 1W güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlarda yer alabilir. Gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 131 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45Ohm @ 90mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT89 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok