Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS209PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS209
BSS209PWH6327XTSA1 Hakkında
BSS209PWH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 630mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-323 (SC-70) yüzeye montajlı paketlemesiyle kompakt tasarımlar için uygundur. 550mΩ RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge değeri 1.3nC olup hızlı anahtarlamaya izin verir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, load switching ve kontrolü gerektiren elektronik devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 115 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 630mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok