Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS192PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS192
BSS192PL6327HTSA1 Hakkında
BSS192PL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilim kapasitesi ve 190mA sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-243AA (SOT89) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 12Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponentin maksimum güç tüketimi 1W'tır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve düşük akım transistör konfigürasyonlarında kullanılır. Gate charge 6.1nC ve threshold voltajı 2V olarak belirtilmiştir. Ürün mevcut üretimde kullanılmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 104 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 190mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT89 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok