Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS192PE6327T
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS192
BSS192PE6327T Hakkında
BSS192PE6327T, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 190mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. SOT89 yüzey montajı paketi içerisinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük güçlü elektronik sistemlerde kullanılır. 12Ohm RDS(on) değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1W güç tüketebilir. Gate gerilimi ±20V'a kadar uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 104 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 190mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT89 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok