Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS169L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS169
BSS169L6327HTSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSS169L6327HTSA1, N-kanal depletion mode MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi, 170mA sürekli drain akımı ve 6Ω maksimum Rds(On) değeriyle düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. SOT-23-3 yüzey montaj pakajında gelen bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate kapasitesi 68pF ve gate yükü 2.8nC olarak tanımlı olup, hızlı anahtarlama gerektiren analog ve dijital devreler, sensör uygulamaları ve akım kontrol devrelerinde tercih edilir. 1.8V kapı-source eşik gerilimi ile düşük gerilimli yönlendirme uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 7 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 68 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok