Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS169 E6906

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS169

BSS169 E6906 Hakkında

BSS169, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ile 170mA sürekli dren akımını destekler. SOT23-3 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 6Ω maksimum on-direnci ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık aralığında işletim yapabilen BSS169, anahtarlama uygulamaları, sinyal yönlendirmesi ve düşük güç RF devreleri gibi alanlarda kullanılır. 2.8nC gate yükü ve 68pF giriş kapasitansiyle hızlı komütasyon özelliği gösterir. Maksimum 360mW güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 68 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok