Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS159NL6327HTSA1

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS159NL

BSS159NL6327HTSA1 Hakkında

BSS159NL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ve 230mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.5Ω (10V, 160mA) on-resistance değeriyle transistörün iletim direnci çok düşüktür. SOT-23-3 yüzey montaj paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. RF anahtarlama, sinyal seçimi ve düşük frekans anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Ancak ürün obsolete durumdadır ve yeni tasarımlarda kullanılması önerilmez.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 230mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 44 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 26µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok