Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS159N E6327
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS159N
BSS159N E6327 Hakkında
BSS159N E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 230mA sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında, düşük sinyalli kontrol devrelerinde ve analog switch uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 360mW güç tüketebilir. Gate charge değeri 2.9nC olup, hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 44 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 160mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 26µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok