Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS139L6327HTSA1

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS139

BSS139L6327HTSA1 Hakkında

BSS139L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj ve 100mA sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 14Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Gate charge değeri 3.5nC olup, hızlı komütasyon sağlar. Depletion mode yapısı nedeniyle ağ uygulamaları, anahtarlama devreleri ve analog sürücü uygulamalarına uygundur. Parça şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 76 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 56µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok