Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS139H6327XTSA1

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS139

BSS139H6327XTSA1 Hakkında

BSS139H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Depletion Mode N-Channel MOSFET'tir. 250V drain-source voltaj ve 100mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 10V gate voltajında maksimum 14Ω RDS(on) direnci ile anahtarlama uygulamalarında, sinyal amplifikasyonunda ve kontrol devrelerinde kullanılır. Düşük gate charge (3.5nC @ 5V) ve kompakt form faktörü sayesinde hassas elektronik tasarımlarında tercih edilir. 360mW güç dağıtım kapasitesi ile kompakt ve verimli çözümler sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 76 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 100µA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 56µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok