Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS139 E6327

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS139

BSS139 E6327 Hakkında

BSS139, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET'tir. 250V drain-source gerilimi ve 100mA sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(on) değeri (10V Vgs'de 14Ω) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen BSS139, sinyal işleme, analog anahtarlar, RF uygulamaları ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde yer alır. 3.5nC gate charge ve 76pF input capacitance değerleriyle kompakt tasarımlar için uygundur. Maksimum 360mW güç tüketimi, az alan gerektiren uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. Depletion mode özelliği, pozitif gate-source geriliminde devrede kapalı kalması gerekli uygulamalarda avantaj sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 76 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 56µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok