Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS138NL6327HTSA1

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS138

BSS138NL6327HTSA1 Hakkında

BSS138NL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 230mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve küçük sinyal işlemde kullanılır. 360mW maksimum güç tüketimi ile sınırlı güç uygulamaları için uygun bir seçenektir. Gövdede integre koruma özellikleri bulunur ve hızlı komutasyon özelliği nedeniyle modern dijital devrelerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 230mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 41 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok