Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS138N E6433

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS138N

BSS138N E6433 Hakkında

BSS138N E6433, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source geriliminde 230mA sürekli dren akımı sağlar. Düşük RDS(on) değeri (3.5Ω @ 10V) sayesinde enerji kayıplarını minimumda tutar. SOT-23-3 surface mount paketinde sunulan bu komponent, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. Özellikle taşınabilir cihazlarda, sensör arayüzleri, LED sürücüler ve düşük voltajlı kontrol devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 360mW maksimum güç tüketebilir. 1.4V gate threshold gerilimi hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 230mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 41 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok