Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS138LT1G

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS138

BSS138LT1G Hakkında

BSS138LT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source voltajı ve 200mA sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, SOT-23-3 paketinde sunulur. 5V gate voltajında 3.5Ω on-resistance değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 225mW güç tüketim kapasitesine sahip bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, lojik seviyesi dönüştürme devreleri, güç yönetimi ve küçük sinyal anahtarlamada yaygın olarak kullanılır. Kompakt boyutu ve düşük gate kapasitansı (50pF @ 25V) ile hızlı anahtarlama gerektiren portatif cihazlar ve endüstriyel kontrol devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok