Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS138IXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS138
BSS138IXTSA1 Hakkında
BSS138IXTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel enhancement mode MOSFET transistördür. Small signal uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, maksimum 60V drain-source gerilim dayanımına sahiptir. 230mA sürekli drain akımı kapasitesiyle, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 3.5Ω on-dirençi (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate gerilimi maksimum ±20V olup, hızlı komütasyon özellikleri sayesinde sayısal lojik devrelerinde, sensör arabirimleri ve düşük güçlü motor kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 32 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 230mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 26µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok